reparatiitv
Forum deschis in exclusivitate pentru electronisti si iubitori de foto. un forum informativ cu diverse subiecte . Forum deschis de Paun Nelu! 		Lista Forumurilor Pe Tematici
reparatiitv | Reguli | Inregistrare | Login

POZE REPARATIITV

Nu sunteti logat. 		Nou pe simpatie:
Sophya 25 ani
Femeie
25 ani
Bucuresti
cauta Barbat
25 - 54 ani
reparatiitv / ELECTRONICA DE LA A la Z ! / LABORATOR DE ELECTRONICA Moderat de bughiudan, valybadea78
Autor
Mesaj Pagini: 1
paun_nl
Administrator

Din: alexandria
Inregistrat: acum 16 ani
Postari: 2718
E bine de citit tot ce este in link



CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

1. Scopul lucrării : Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar în conexiunile emitor-comun (EC) şi bază-comună (BC), determinarea unor parametrii de curent continuu şi de regim dinamic al tranzistorului bipolar.

2. În fig.2.1 este reprezentat simbolul unui tranzistor NPN cu precizarea sensului curenţilor şi tensiunilor aşa cum vor fi folosite în această lucrare. Între aceste mărimi se pot scrie relaţiile   (2.1) şi   (2.2).
3. Comportarea tranzistorului bipolar în regim continuu este definită de relaţiile ce descriu dependenţa curenţilor   şi   de tensiunile aplicate la bornele celor două joncţiuni   şi  . În regiunea activă normală, joncţiunea emitor-bază polarizată direct şi joncţiunea colector-bază polarizată invers, relatiile de bază pentru curenţi pentru un tranzistor NPN sunt:   (2.3) şi   (2.4). În aceste relaţii   este suprafata joncţiunii bază-emitor,   este constanta de difuzie a purtătorilor minoritari din bază (electronii) a căror concentraţie este  ,   = 26 mV la temperatura camerei,   este grosimea efectivă a bazei dată de relaţia   (2.5)  ( este grosimea fizică a bazei,   este bariera de potenţial a joncţiunii colector-bază dependentă de concentraţiile de purtători majoritari din bază   şi din colector  , iar   este permeativitatea electrică a materialului din care este confecţionat tranzistorul) ; se constată că, la creşterea tensiunii de polarizare inversă a jonctiunii bază-colactor, grosimea efectivă a bazei scade. Parametrul   este factorul de curent al tranzistorului în conexiunea bază comună şi are expresia aproximativă :   (2.6), unde   şi   sunt lungimile de difuzie ale electronilor (în bază respectiv ale golurilor (în emitor) iar   şi   sunt conductivităţile electrice ale bazei, respectiv emitorului. Se remarcă dependenţa lui   de tensiunea colector bază prin intermediul lui  .
4. Din punct de vedere practic, pentru determinarea regimului de funcţionare in curent continuu, este necesară cunoaşterea carcateristicilor statice de intrare, de transfer direct şi de ieşire (numai două dintr ele sunt independente), cu particularităţi specifice fiecărui mod de conexiune. În conexiunea bază comună, electrodul de referinţă este baza iar în conexiunea emitor comun electrodul de referinţă va fi emitorul.
Din punct de vedere dinamic, la semnale mici (când caracteristicile statice pot fi liniarizate in jurul; punctului static de funcţionare), lent variabile, tranzistorului poate fi caracterizat prin parametrii de cuadripol definiţi prin ecuaţiile   (2.7) unde  ,  ,   şi   sunt mărimile variabile sinusoidale, cu sensurile obişnuite acceptate pentru cuadripoli (fig.2.1). Parametrii   vor fi indexaţi   sau   după cum tranzistorul este utilizat în conexiunea BC sau EC; de multe ori se noatează  .
5. Caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea BC adică  , se deduce din relaţia 2.3, în care se înlocuieşte  . Reprezentarea grafică este dată în fig.2.2, unde s-a considerat ca parametru, tensiunea  . Se constată caracterul exponenţial al caracteristicii de intrare şi influenţa mică a tensiunii de colector asupra caracteristicii de intrare. Exponentul poate fi afectat de coeficientul  , ca la dioda semiconductoare, determinarea lui experimentală făcându-se în acelaşi mod.

6. Caracteristica de transfer    este descrisă de ecuaţia (2.4) şi este reprezentată grafic în fig.2.3; factorul de curent  , care dă panta acestei drepte, variază foarte puţin cu tensiunea   (prin intermediul lui  ) şi cu curentul de colector (scădere atât la curenţi mici cât şi la curenţi mari, dependenţă care nu rezultă din traiectoria elementară a tranzistorului). Factorul de curent al tranzistorului în conexiunea bază comună,  , se calculează cu relaţia   (2.8) dar precizia acestei relaţii este puternic afectată de imprecizia măsurărilor curenţilor   şi  , de valori foarte apropiate. Pentru măsurarea factorului de curent   se preferă relaţia (2.15), după măsurarea factorului de curent în conexiunea EC,  .
  este curentul jonctiunii colector-bază polarizate invers cu emitorul în gol, de valoare foarte mică pentru tranzistoarele realizate din siliciu şi dependent de tensiunea  .

7. Caracteristicile de ieşire  , sunt determinate de relaţiile (2.4) şi (2.6) şi sunt reprezentate grafic în fig.2.4. Se constată dependenât foarte mică a curentului de colector de tensiunea   în regiunea activă normală, caracteristicile fiind practic orizontale şi echidistante, pentru trepte constante ale curentului de emitor (ceea ce conferă tranzistorului în conexiunea BC caracterul de generator de curent). Pentru tensiuni  < 0, curentul de colector scade datorită polarizării in conducţie directă şi a jonctiunii colector-bază, ceea ce duce la funcţionarea tranzistorului în regiunea de saturatie.
8. În circuitul elementar din fig.2.5, punctul static de funcţionare se determină prin rezolvarea grafo-analitică a sistemului de ecuaţii   (2.9) unde valoarea curentului de emitor este fixată de circuitul de intrare (în lucrare, de către generatorul de curent). În fig.2.4 în planul caracteristicilor statice, se trasează drepte de sarcină şi, pentru  , se obţine punctul static de funcţionare   cu coordonatele  ; pe carcateristica de intrare punctul static de funcţionare este  .
În punctul static de funcţionare, se pot măsura parametrii   pentru caracterizarea functionării tranzistorului  la semnale variabile mici, conform relaţiilor :  ,  ,   (2.10).
Parametrii   şi   se dau şi relaţiile teoretice deduse din ecuaţiile (2.3) şi (2,4) sub forma   (2.11) şi   (2.12).
Parametrul   nu poate fi determinat printr-o aceeaşi metodă deoarece variatiile foarte mici ale tensiunii   (la variaţii mari ale tensiunii  ) sunt afectate de fenomene secundare, cum ar fi modificarea regimului termic al tranzistorului la variaţia tensiunii de colector.
9. Caracteristica de intrare pentru tranzistorul în conexiunea EC, dată de funcţia   are ca parametru tensiunea  , care intervine, în principal, prin parametrul  . Ecuaţia acestei caracteristici se obţine din relatiile (2.1), (2.3) şi (2.4) sub forma :   (2.13) şi este reprezentată grafic în fig.2.6.

Se constată forma exponenţială a carateristicii, cu o influenţă redusă a tensiunii   (prin intermediul variaţiei grosimii efective a bazei,  ) şi anularea curentului de bază pentru o valoare diferită de 0 a tensiunii  .
10. Caracteristica de transfer este dată de relaţia (2.14) :   unde   este factorul de curent în conexiune EC a cărui expresie dedusă din relaţiile (2.1) şi (2.4) este :   (2.15), iar   este curentul de colector măsurat cu baza in gol şi determinat prin relaţia :   (2.16) .
Factorul de curent al tranzistorului în conexiunea EC depinde  de tensiunea colector-emitor (prin intermediul grosimii efective a bazei,  ) şi de curentul de colector (această dependenţă este mai puternică decât a factorului de curent  ) ca în fig.2.7.
Factorul de curent   se determină din relaţia (2.14) sub forma   (2.17).
11. Caracteristicile de ieşire dau dependenţa curentului de colector de tensiunea   având ca parametru curentul de bază,  , şi sunt descrise de relaţia (2.14); dependenţa mai puternică a factorului de curent al tranzistorului,  , de  , determină o inclinare mai puternică a caracteristicilor faţă de orizontală.
În zona tensiunilor   mici, ecuaţia (2.14) nu mai este valabilă, tranzistorul funcţionând în regiunea de saturaţie.

12. Pentru circuitul elementar din fig.2.9, punctul static de funcţionare se determină prin metoda grafo-analitică de rezolvare a sistemului format din ecuaţiile :   (2.18), curentul   fiind determinat de circuitul de intrare (in cazul lucrării, prin generator de curent constant).
În punctul static de funcţionare,  , caracterizat prin parametrii  , se pot definii parametrii   pentru semnal mic, lent variabil :  ,  ,   (2.19).
La fel ca şi  , parametrul   nu se poate măsura prin această metodă.
Între parametrii  în conexiunea EC şi cei în conexiunea BC există următoarele relaţii aproximative :   (2.20) ,  (2.21).
13. În anumite circuite electronice, tranzistorul bipolar poate fi folosit în conexiune inversă prin schimbarea rolurilor terminalelor emitor şi colector. Parametrul ce caracterizează această funcţionare este factorul de curent în conexiune inversă,   sau  . Cu excepţia unor tranzistoare special construite, factorul de curent  , este foarte mic, de obicei, subunitar.

DESFĂŞURAREA LUCRĂRII


1. Se identifică montajul din fig.2.10, în care se foloseşte un circuit ajutător în calitate de generator de curent reglabil din potenţiometrul  . Pentru curenţii de bază necesari tanzistorului NPN în conexiune EC se alimentează schema cu +5 V (aproximativ) la  borna 2 faţă de borna de masă (borna 1) şi se obţine la borna 3 un curent reglabil (în sensul săgeţii) între 0¸200 mA ; pentru curenţii de emitor necesari aceluiaşi tanzistor NPN în conexiune BC se alimentează schema cu -5V la borna 2 faţă de borna 1 (borna de masă şi se obţine la borna 4 un curent reglabil între 0¸50 mA.
    2. Se trasează caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea BC conform schemei de măsură din fig.2.11. Pentru aceasta, generatorul de curent se va alimenta cu –5 V la borna 2 faţă de borna de masă (borna 1), ieşirea generatorului de curent fiind borna 4. Pentru curentul de emitor se vor lua valorile: 0.1; 0.2; 0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50; mA, iar tensiunea colector-bază va fi de 5 V. Rezultatele se trec în tabelul 2.1 şi se trasează caracteristica de intrare atât 
la scară liniară cât şi la scară logaritmică (pentru curent) pentru determinarea parametrului   ca la dioda semiconductoare.

3. Se trasează cracteristica de transfer  folosind schema de măsură din fig.2.12. Întrucât valorile curenţilor   şi   sunt foarte apropiate, se preferă măsurarea curentului de bază pentru fiecare valoare a curentului de emitor, iar curentul de colector se deduce din relaţia (2.1). tensiunea   este de 5 V. Pentru curentul de emitor se vor lua aceleaşi valori ca la punctul precedent. Rezultatele se trec în tabelul 2.2 şi se trasează caracteristic de transfer la scară liniară. Pentru  =2 mA, se determină factorul de curent al tranzistorului în conexiunea BC,  , cu relaţia (2.8) în care   este valoarea curentului de colector obţinut cu emitorul în gol .

Se vor compara valorile obţinute pentru  şi   cu valorile rezultate din relaţiile (2.15) şi (2.16), în care   are valoarea determinată în acelaşi punct de funcţionare la punctul 7.

4. Se trasează caracteristicile statice de ieşire în conexiunea BC cu schema de măsură din fig.2.12. Pentru tensiunea de ieşire se vor lua valorile  0.1; 0.5; 1; 2; 5; 10; V, iar curentul de emitor va fi fixat la valorile 2; 4; 6; 8; 10; mA . Rezultatele se trec în tabelul 2.3.
Pentru  =2 mA, se inversează semnul tensiunii   şi se determină valoarea acestei tensiuni pentru care curentul de colector se anulează; măsurătoarea se va face cu atenţie, deoarece anularea curentului de colector se produce la valori mici ale tensiunii colector bază (circa –0.6 ¸ –0.7 V)
5. În planul caracteristicilor ridicate la punctul precedent, se trasează dreapta statică de funcţionare, conform relaţiei (2.9)  în care  = 3.6 kW şi  =12 V şi se determină coordonatele punctului static de funcţionare, ştiind că  = 2 mA.
Se realizează monttajul elementar din fig.2.5 cu  = 3.6 kW  şi  =12 V şi se măsoară coordonatele punctului static de funcţionare pentru  = 2 mA.. Se compară rezultatele obţinute prin cele două metode. În punctul de funcţionare astfel determinat, se calculează parametrul   pe caracteristica de intrare, iar parametrii  şi   se calculează folosind rezultatele din tabelel corespunzătoare, având în vedere dificultatea măsurării unor variaţii foarte mici ale curentului de colector direct pe grafic. Se vor folosi relaţiile (2.10)


6. Se alimentaeză generatorul de curent cu +5 V la borna 2 (faţă de borna 1); se trasează caracteristica de intrare în conexiunea EC,  , conform schemei de măsură din fig.2.13 (bornele 1 şi 6 sunt legate împreună iar miliampermetrul se conectează între bornele 3 şi 5); tensiunea   se va măsura cu un voltmetru electronic, de preferinţă numeric. Se va măsura tensiunea    pentru următoarele valori ale curentului de bază:  = 0; 10; 20; 30; 40 şi 50 mA. Întrucât caracteristica de intrare  pleacă de la valori negative ale curentului de bază, se vor pune în scurt circuit baza cu emitorul şi se va măsura   (schimbând bornele miliampermetrului). Se menţine curentul de bază la valoarea constantă  = 50 mA şi se măsoară tensiunea bază-emitor pentru următoarele valori ale tensiunii colector-emitor : 0; 1; 5 şi 10 V. Rezultatele se vor trece în tabelul 2.4. Se va trasa graficul  cu  =5V, la scară liniară.
7. Se măsoară mărimile necesare pentru ridicarea caracteristicii de transfer, conform schemei de măsură din fig.2.14. Tensiunea colector-emitor va fi  = 5 V.

Se va nota, mai întâi, valoarea curentului de colector cu baza în gol,  . Se va regla apoi curentul de bază pentru a se obţine curenţi de colector de valoare 0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50 mA, rezultatele fiind trecute în tabelul 2.5.
În acelaşi tabel, se va trece factorul de curent  al tranzistorului,  , calculat cu relaţia (2.7).
Se măsoară factorul de curent al tranzistorului în conexiunea EC la alte două tensiuni colector-emitor,  =1 V şi  =10 V. Pentru fiecare dintre aceste valori, se determină, mai întâi   (cu baza în gol) şi apoi curentul de bază necesar obţinerii ac eluiaşi curent colector  = 2 mA. Se va trasa 
graficul funcţiei de transfer  , la scară liniară.
8. Se determină caracteristicle de ieşire ale tranzistorului în conexiune EC cu parametru  , conform schemei de măsură din fig.2.15. Pentru curentul de bază,  ,  se vor lua valorile 10; 20; 30; 40; 50 mA, iar curentul colector se va măsura pentru următoarele valori ale tensiunii colector-emitor care asigură funcţionarea tranzistorului în regiunea activă normală : 0.5; 1; 2; 5; 10 V şi se trasează familia de caracteristici  la scară liniară.

Se efectuează măsurătorile pentru ridicarea caracteristicilor de ieşire în zona de saturaţie a tranzistorului şi în zona activă normală învecinată, pentru tensiuni mici între colector şi emitor. Se va folosi acelaşi montaj şi se vor considera aceleaşi valori ale curentului de baz㸠iar tensiunea colector-emitor se reglează la valorile 0.1; 0.2; 0.3; 0.4 şi 0.5 V. Rezultatele se trec în acelaşi tabelul 2.6 şi se va trasa un grafic separat pentru această zonă la o scară convenabilă pentru  .
9. Se realizează schema din fig.2.9 pentru determinarea punctului static de funcţionare Se fixează  = 12 V şi se reglează curentul de bază până când  = 2 mA. Se vor nota coordonatele punctului static de funcţionare ( , , , ).
Pe caracteristicile statice de ieşire ale tranzistorului desenate la punctul precedent, se trasează prin interpolare, cu aproximaţie, caracteristica statică corespunzătoare curentului de bază măsurat anterior şi dreapta de sarcină descrisă de ecuaţia (2.18). La intersecţia lor se obţine punctul static de funcţionare ale cărui coordonate trebuie să fie apropiate de cele măsurate.
În acest punct static de funcţionare, se vor determina parametrii   (pe caracteristica de intrare),   (pe caracteristica de transfer),   (pe caracteristica de ieşire) conform relaţiilor (2.19).
Se vor verifica relaţiile de legătură între parametrii   în cele două conexiuni (2.20) şi (2.21), punctele de funcţionare fiind apropiate.

10. Se măsoară factorul de curent al tranzistorului în conexiune inversă, conform schemei de măsură din fig.2.16 şi folosind relaţia  , unde   este curentul înregistrat de ampermetrul din emitor pentru  = 200 mA, iar   este curentul înregistrat de acelaşi aparat pentru  = 0 (baza în gol).
11. Se vor vizualiza, pe caracterograf, caracteristicile statice de intrare şi de ieşire pentru ambele conexiuni ale tranzistorului. Se vor vizualiza şi deformările caracteristicilor de ieşire la tensiuni de colector apropizte de tensiunea de străpungere, pentru ambele conexiuni.
12. Referatul va conţine: schemele de măsură pentru parametrii şi pentru caracteristicile statice ale tranzistorului în cele două conexiuni, tabelele cu rezultatele măsurătorilor, graficele corespunzătoare şi determinările făcute pe baza acestora aşa cum se indică la modul de lucru; schemele elementare cu tranzistoare pentru determinarea punctelor statcie de funcţionare respective. În cazul unor neconcordante între rezultatele teoretice şi cele experimentale se vor da scurte justificări.

_______________________________________
Reparatii tv !
tel.0729346286
pus acum 16 ani
   
paun_nl
Administrator

Din: alexandria
Inregistrat: acum 16 ani
Postari: 2718
CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

1. Scopul lucrării : Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar în conexiunile emitor-comun (EC) şi bază-comună (BC), determinarea unor parametrii de curent continuu şi de regim dinamic al tranzistorului bipolar.

2. În fig.2.1 este reprezentat simbolul unui tranzistor NPN cu precizarea sensului curenţilor şi tensiunilor aşa cum vor fi folosite în această lucrare. Între aceste mărimi se pot scrie relaţiile   (2.1) şi   (2.2).
3. Comportarea tranzistorului bipolar în regim continuu este definită de relaţiile ce descriu dependenţa curenţilor   şi   de tensiunile aplicate la bornele celor două joncţiuni   şi  . În regiunea activă normală, joncţiunea emitor-bază polarizată direct şi joncţiunea colector-bază polarizată invers, relatiile de bază pentru curenţi pentru un tranzistor NPN sunt:   (2.3) şi   (2.4). În aceste relaţii   este suprafata joncţiunii bază-emitor,   este constanta de difuzie a purtătorilor minoritari din bază (electronii) a căror concentraţie este  ,   = 26 mV la temperatura camerei,   este grosimea efectivă a bazei dată de relaţia   (2.5)  ( este grosimea fizică a bazei,   este bariera de potenţial a joncţiunii colector-bază dependentă de concentraţiile de purtători majoritari din bază   şi din colector  , iar   este permeativitatea electrică a materialului din care este confecţionat tranzistorul) ; se constată că, la creşterea tensiunii de polarizare inversă a jonctiunii bază-colactor, grosimea efectivă a bazei scade. Parametrul   este factorul de curent al tranzistorului în conexiunea bază comună şi are expresia aproximativă :   (2.6), unde   şi   sunt lungimile de difuzie ale electronilor (în bază respectiv ale golurilor (în emitor) iar   şi   sunt conductivităţile electrice ale bazei, respectiv emitorului. Se remarcă dependenţa lui   de tensiunea colector bază prin intermediul lui  .
4. Din punct de vedere practic, pentru determinarea regimului de funcţionare in curent continuu, este necesară cunoaşterea carcateristicilor statice de intrare, de transfer direct şi de ieşire (numai două dintr ele sunt independente), cu particularităţi specifice fiecărui mod de conexiune. În conexiunea bază comună, electrodul de referinţă este baza iar în conexiunea emitor comun electrodul de referinţă va fi emitorul.
Din punct de vedere dinamic, la semnale mici (când caracteristicile statice pot fi liniarizate in jurul; punctului static de funcţionare), lent variabile, tranzistorului poate fi caracterizat prin parametrii de cuadripol definiţi prin ecuaţiile   (2.7) unde  ,  ,   şi   sunt mărimile variabile sinusoidale, cu sensurile obişnuite acceptate pentru cuadripoli (fig.2.1). Parametrii   vor fi indexaţi   sau   după cum tranzistorul este utilizat în conexiunea BC sau EC; de multe ori se noatează  .
5. Caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea BC adică  , se deduce din relaţia 2.3, în care se înlocuieşte  . Reprezentarea grafică este dată în fig.2.2, unde s-a considerat ca parametru, tensiunea  . Se constată caracterul exponenţial al caracteristicii de intrare şi influenţa mică a tensiunii de colector asupra caracteristicii de intrare. Exponentul poate fi afectat de coeficientul  , ca la dioda semiconductoare, determinarea lui experimentală făcându-se în acelaşi mod.

6. Caracteristica de transfer    este descrisă de ecuaţia (2.4) şi este reprezentată grafic în fig.2.3; factorul de curent  , care dă panta acestei drepte, variază foarte puţin cu tensiunea   (prin intermediul lui  ) şi cu curentul de colector (scădere atât la curenţi mici cât şi la curenţi mari, dependenţă care nu rezultă din traiectoria elementară a tranzistorului). Factorul de curent al tranzistorului în conexiunea bază comună,  , se calculează cu relaţia   (2.8) dar precizia acestei relaţii este puternic afectată de imprecizia măsurărilor curenţilor   şi  , de valori foarte apropiate. Pentru măsurarea factorului de curent   se preferă relaţia (2.15), după măsurarea factorului de curent în conexiunea EC,  .
  este curentul jonctiunii colector-bază polarizate invers cu emitorul în gol, de valoare foarte mică pentru tranzistoarele realizate din siliciu şi dependent de tensiunea  .

7. Caracteristicile de ieşire  , sunt determinate de relaţiile (2.4) şi (2.6) şi sunt reprezentate grafic în fig.2.4. Se constată dependenât foarte mică a curentului de colector de tensiunea   în regiunea activă normală, caracteristicile fiind practic orizontale şi echidistante, pentru trepte constante ale curentului de emitor (ceea ce conferă tranzistorului în conexiunea BC caracterul de generator de curent). Pentru tensiuni  < 0, curentul de colector scade datorită polarizării in conducţie directă şi a jonctiunii colector-bază, ceea ce duce la funcţionarea tranzistorului în regiunea de saturatie.
8. În circuitul elementar din fig.2.5, punctul static de funcţionare se determină prin rezolvarea grafo-analitică a sistemului de ecuaţii   (2.9) unde valoarea curentului de emitor este fixată de circuitul de intrare (în lucrare, de către generatorul de curent). În fig.2.4 în planul caracteristicilor statice, se trasează drepte de sarcină şi, pentru  , se obţine punctul static de funcţionare   cu coordonatele  ; pe carcateristica de intrare punctul static de funcţionare este  .
În punctul static de funcţionare, se pot măsura parametrii   pentru caracterizarea functionării tranzistorului  la semnale variabile mici, conform relaţiilor :  ,  ,   (2.10).
Parametrii   şi   se dau şi relaţiile teoretice deduse din ecuaţiile (2.3) şi (2,4) sub forma   (2.11) şi   (2.12).
Parametrul   nu poate fi determinat printr-o aceeaşi metodă deoarece variatiile foarte mici ale tensiunii   (la variaţii mari ale tensiunii  ) sunt afectate de fenomene secundare, cum ar fi modificarea regimului termic al tranzistorului la variaţia tensiunii de colector.
9. Caracteristica de intrare pentru tranzistorul în conexiunea EC, dată de funcţia   are ca parametru tensiunea  , care intervine, în principal, prin parametrul  . Ecuaţia acestei caracteristici se obţine din relatiile (2.1), (2.3) şi (2.4) sub forma :   (2.13) şi este reprezentată grafic în fig.2.6.

Se constată forma exponenţială a carateristicii, cu o influenţă redusă a tensiunii   (prin intermediul variaţiei grosimii efective a bazei,  ) şi anularea curentului de bază pentru o valoare diferită de 0 a tensiunii  .
10. Caracteristica de transfer este dată de relaţia (2.14) :   unde   este factorul de curent în conexiune EC a cărui expresie dedusă din relaţiile (2.1) şi (2.4) este :   (2.15), iar   este curentul de colector măsurat cu baza in gol şi determinat prin relaţia :   (2.16) .
Factorul de curent al tranzistorului în conexiunea EC depinde  de tensiunea colector-emitor (prin intermediul grosimii efective a bazei,  ) şi de curentul de colector (această dependenţă este mai puternică decât a factorului de curent  ) ca în fig.2.7.
Factorul de curent   se determină din relaţia (2.14) sub forma   (2.17).
11. Caracteristicile de ieşire dau dependenţa curentului de colector de tensiunea   având ca parametru curentul de bază,  , şi sunt descrise de relaţia (2.14); dependenţa mai puternică a factorului de curent al tranzistorului,  , de  , determină o inclinare mai puternică a caracteristicilor faţă de orizontală.
În zona tensiunilor   mici, ecuaţia (2.14) nu mai este valabilă, tranzistorul funcţionând în regiunea de saturaţie.

12. Pentru circuitul elementar din fig.2.9, punctul static de funcţionare se determină prin metoda grafo-analitică de rezolvare a sistemului format din ecuaţiile :   (2.18), curentul   fiind determinat de circuitul de intrare (in cazul lucrării, prin generator de curent constant).
În punctul static de funcţionare,  , caracterizat prin parametrii  , se pot definii parametrii   pentru semnal mic, lent variabil :  ,  ,   (2.19).
La fel ca şi  , parametrul   nu se poate măsura prin această metodă.
Între parametrii  în conexiunea EC şi cei în conexiunea BC există următoarele relaţii aproximative :   (2.20) ,  (2.21).
13. În anumite circuite electronice, tranzistorul bipolar poate fi folosit în conexiune inversă prin schimbarea rolurilor terminalelor emitor şi colector. Parametrul ce caracterizează această funcţionare este factorul de curent în conexiune inversă,   sau  . Cu excepţia unor tranzistoare special construite, factorul de curent  , este foarte mic, de obicei, subunitar.

DESFĂŞURAREA LUCRĂRII


1. Se identifică montajul din fig.2.10, în care se foloseşte un circuit ajutător în calitate de generator de curent reglabil din potenţiometrul  . Pentru curenţii de bază necesari tanzistorului NPN în conexiune EC se alimentează schema cu +5 V (aproximativ) la  borna 2 faţă de borna de masă (borna 1) şi se obţine la borna 3 un curent reglabil (în sensul săgeţii) între 0¸200 mA ; pentru curenţii de emitor necesari aceluiaşi tanzistor NPN în conexiune BC se alimentează schema cu -5V la borna 2 faţă de borna 1 (borna de masă şi se obţine la borna 4 un curent reglabil între 0¸50 mA.
    2. Se trasează caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea BC conform schemei de măsură din fig.2.11. Pentru aceasta, generatorul de curent se va alimenta cu –5 V la borna 2 faţă de borna de masă (borna 1), ieşirea generatorului de curent fiind borna 4. Pentru curentul de emitor se vor lua valorile: 0.1; 0.2; 0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50; mA, iar tensiunea colector-bază va fi de 5 V. Rezultatele se trec în tabelul 2.1 şi se trasează caracteristica de intrare atât 
la scară liniară cât şi la scară logaritmică (pentru curent) pentru determinarea parametrului   ca la dioda semiconductoare.

3. Se trasează cracteristica de transfer  folosind schema de măsură din fig.2.12. Întrucât valorile curenţilor   şi   sunt foarte apropiate, se preferă măsurarea curentului de bază pentru fiecare valoare a curentului de emitor, iar curentul de colector se deduce din relaţia (2.1). tensiunea   este de 5 V. Pentru curentul de emitor se vor lua aceleaşi valori ca la punctul precedent. Rezultatele se trec în tabelul 2.2 şi se trasează caracteristic de transfer la scară liniară. Pentru  =2 mA, se determină factorul de curent al tranzistorului în conexiunea BC,  , cu relaţia (2.8) în care   este valoarea curentului de colector obţinut cu emitorul în gol .

Se vor compara valorile obţinute pentru  şi   cu valorile rezultate din relaţiile (2.15) şi (2.16), în care   are valoarea determinată în acelaşi punct de funcţionare la punctul 7.

4. Se trasează caracteristicile statice de ieşire în conexiunea BC cu schema de măsură din fig.2.12. Pentru tensiunea de ieşire se vor lua valorile  0.1; 0.5; 1; 2; 5; 10; V, iar curentul de emitor va fi fixat la valorile 2; 4; 6; 8; 10; mA . Rezultatele se trec în tabelul 2.3.
Pentru  =2 mA, se inversează semnul tensiunii   şi se determină valoarea acestei tensiuni pentru care curentul de colector se anulează; măsurătoarea se va face cu atenţie, deoarece anularea curentului de colector se produce la valori mici ale tensiunii colector bază (circa –0.6 ¸ –0.7 V)
5. În planul caracteristicilor ridicate la punctul precedent, se trasează dreapta statică de funcţionare, conform relaţiei (2.9)  în care  = 3.6 kW şi  =12 V şi se determină coordonatele punctului static de funcţionare, ştiind că  = 2 mA.
Se realizează monttajul elementar din fig.2.5 cu  = 3.6 kW  şi  =12 V şi se măsoară coordonatele punctului static de funcţionare pentru  = 2 mA.. Se compară rezultatele obţinute prin cele două metode. În punctul de funcţionare astfel determinat, se calculează parametrul   pe caracteristica de intrare, iar parametrii  şi   se calculează folosind rezultatele din tabelel corespunzătoare, având în vedere dificultatea măsurării unor variaţii foarte mici ale curentului de colector direct pe grafic. Se vor folosi relaţiile (2.10)


6. Se alimentaeză generatorul de curent cu +5 V la borna 2 (faţă de borna 1); se trasează caracteristica de intrare în conexiunea EC,  , conform schemei de măsură din fig.2.13 (bornele 1 şi 6 sunt legate împreună iar miliampermetrul se conectează între bornele 3 şi 5); tensiunea   se va măsura cu un voltmetru electronic, de preferinţă numeric. Se va măsura tensiunea    pentru următoarele valori ale curentului de bază:  = 0; 10; 20; 30; 40 şi 50 mA. Întrucât caracteristica de intrare  pleacă de la valori negative ale curentului de bază, se vor pune în scurt circuit baza cu emitorul şi se va măsura   (schimbând bornele miliampermetrului). Se menţine curentul de bază la valoarea constantă  = 50 mA şi se măsoară tensiunea bază-emitor pentru următoarele valori ale tensiunii colector-emitor : 0; 1; 5 şi 10 V. Rezultatele se vor trece în tabelul 2.4. Se va trasa graficul  cu  =5V, la scară liniară.
7. Se măsoară mărimile necesare pentru ridicarea caracteristicii de transfer, conform schemei de măsură din fig.2.14. Tensiunea colector-emitor va fi  = 5 V.

Se va nota, mai întâi, valoarea curentului de colector cu baza în gol,  . Se va regla apoi curentul de bază pentru a se obţine curenţi de colector de valoare 0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50 mA, rezultatele fiind trecute în tabelul 2.5.
În acelaşi tabel, se va trece factorul de curent  al tranzistorului,  , calculat cu relaţia (2.7).
Se măsoară factorul de curent al tranzistorului în conexiunea EC la alte două tensiuni colector-emitor,  =1 V şi  =10 V. Pentru fiecare dintre aceste valori, se determină, mai întâi   (cu baza în gol) şi apoi curentul de bază necesar obţinerii ac eluiaşi curent colector  = 2 mA. Se va trasa 
graficul funcţiei de transfer  , la scară liniară.
8. Se determină caracteristicle de ieşire ale tranzistorului în conexiune EC cu parametru  , conform schemei de măsură din fig.2.15. Pentru curentul de bază,  ,  se vor lua valorile 10; 20; 30; 40; 50 mA, iar curentul colector se va măsura pentru următoarele valori ale tensiunii colector-emitor care asigură funcţionarea tranzistorului în regiunea activă normală : 0.5; 1; 2; 5; 10 V şi se trasează familia de caracteristici  la scară liniară.

Se efectuează măsurătorile pentru ridicarea caracteristicilor de ieşire în zona de saturaţie a tranzistorului şi în zona activă normală învecinată, pentru tensiuni mici între colector şi emitor. Se va folosi acelaşi montaj şi se vor considera aceleaşi valori ale curentului de baz㸠iar tensiunea colector-emitor se reglează la valorile 0.1; 0.2; 0.3; 0.4 şi 0.5 V. Rezultatele se trec în acelaşi tabelul 2.6 şi se va trasa un grafic separat pentru această zonă la o scară convenabilă pentru  .
9. Se realizează schema din fig.2.9 pentru determinarea punctului static de funcţionare Se fixează  = 12 V şi se reglează curentul de bază până când  = 2 mA. Se vor nota coordonatele punctului static de funcţionare ( , , , ).
Pe caracteristicile statice de ieşire ale tranzistorului desenate la punctul precedent, se trasează prin interpolare, cu aproximaţie, caracteristica statică corespunzătoare curentului de bază măsurat anterior şi dreapta de sarcină descrisă de ecuaţia (2.18). La intersecţia lor se obţine punctul static de funcţionare ale cărui coordonate trebuie să fie apropiate de cele măsurate.
În acest punct static de funcţionare, se vor determina parametrii   (pe caracteristica de intrare),   (pe caracteristica de transfer),   (pe caracteristica de ieşire) conform relaţiilor (2.19).
Se vor verifica relaţiile de legătură între parametrii   în cele două conexiuni (2.20) şi (2.21), punctele de funcţionare fiind apropiate.

10. Se măsoară factorul de curent al tranzistorului în conexiune inversă, conform schemei de măsură din fig.2.16 şi folosind relaţia  , unde   este curentul înregistrat de ampermetrul din emitor pentru  = 200 mA, iar   este curentul înregistrat de acelaşi aparat pentru  = 0 (baza în gol).
11. Se vor vizualiza, pe caracterograf, caracteristicile statice de intrare şi de ieşire pentru ambele conexiuni ale tranzistorului. Se vor vizualiza şi deformările caracteristicilor de ieşire la tensiuni de colector apropizte de tensiunea de străpungere, pentru ambele conexiuni.
12. Referatul va conţine: schemele de măsură pentru parametrii şi pentru caracteristicile statice ale tranzistorului în cele două conexiuni, tabelele cu rezultatele măsurătorilor, graficele corespunzătoare şi determinările făcute pe baza acestora aşa cum se indică la modul de lucru; schemele elementare cu tranzistoare pentru determinarea punctelor statcie de funcţionare respective. În cazul unor neconcordante între rezultatele teoretice şi cele experimentale se vor da scurte justificări.

_______________________________________
Reparatii tv !
tel.0729346286
pus acum 16 ani
   
paun_nl
Administrator

Din: alexandria
Inregistrat: acum 16 ani
Postari: 2718
CONEXIUNILE FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

1. Scopul lucrării: măsurarea performantelor amplificatoarelor elementare realizate cu tranzistoare bipolare în cele trei conexiuni fundamentale precum şi ale amplificatorului cu sarcină distribuită.

    2. Cele trei scheme fundamentale şi amplificatorul cu sarcină distribuită sunt prezentate în fig.7.1, sub forma schemelor de principiu. Pentru fiecare din ele se definesc :
-amplificarea de tensiune :   (pentru   dat) ;
-amplificarea de curent :   (pentru   dat) ;
-amplificarea de intrare :   (pentru   dat) ;
-amplificarea de ieşire : (pentru   dat) ;

    În ceea ce priveşte comportarea la frecvenţe înalte, cele patru montaje sunt caracterizate prin frecvente limite de sus de valori diferite (frecvenţele la care modulul amplificării de tensiune scade cu 3 dB faţă de valoarea de la frecvenţe medii).
    3. Pentru cele patru scheme din fig.7.1, mărimile caracteristice (mai puţin frecvenţa limită de sus) se determină, teoretic, cunoscând parametrii   ai tranzistorului în punctul static de funcţionare. În relaţiile de calcul, date în tabelul 7.1,   este impedanţa de sarcină,   este impedanta generatorului de semnal,care nu este reprezentată în fig.7.1. iar [ ] sunt parametrii hibrizi ai tranzistorului în conexiunea EC în punctul static de funcţionare considerat. În fiecare caz în parte sunt trecute şi relaţiile aproximative de calcul valabile dacă : ,  ,  ,   condiţii îndeplinite frecvent în practică (şi în circuitul testat).
    În tabel s-au folosit notaţiile :  ,  . -


4. Pentru determinarea amplificării de tensiune, a amplificatorului de curent şi a impedanţei de intrare se foloseşte schema de măsurare din fig.7.2. Se deduc uşor relaţiile :  (7.1),   (7.2),   (7.3).
    În privinţa impedanţei de intrare, se observă că, în cazul schemei concrete utilizate (fig.7.4), impedanţa de intrare calculată cu relaţia (7.3) pentru schema din fig.7.2 este afectată de prezenţa circuitului de polarizare, astfel că, pentru montajele emitor la masă (EM), colector la masă (CM) şi cu sarcină distribuită (SD), la care intrarea se face pe bază, se obţine :   (7.4) iar pentru montajul bază la masă, la care semnalul se aplică pe emitor, se obţine:  (7.4’).
    În aceste relaţii,   este impedanţă de intrare definită pentru schema de principiu din fig.7.1 şi calculabilă cu relaţiile din tabelul 7.1, pentru fiecare schemă în parte.

    De asemenea, în tabelul 7.1, prin   se va înţelege combinaţia, în paralel, a rezistentei de sarcină,  , adăugate din exterior şi a rezistenţei   (pentru montajele EM, BM, şi SD), respectiv   (pentru montajul CM), necesare pentru polarizarea corectă a tranzistorului în curent continuu.
    5. Pentru determinarea impedantei de ieşire se foloseşte schema de măsură din fig.7.3, în care   este rezistenţa de ieşire a generatorului de semnal. Se deduce relaţia:    (7.5) unde   este tensiunea de ieşire în gol ( ), iar   este aceeaşi tensiune de ieşire măsurată cu rezistenţa de sarcină  , ambele pentru aceeaşi tensiune de intrare  .
    De remarcat faptul că impedanţa de ieşire măsurată,  , este dată de impedanţa de ieşire   definită pentru schema de principiu, în paralel cu rezistenţa   (pentru montajele EM, BM şi SD), adică   (7.6) respectiv cu rezistenţa    (pentru montajul CM), adică :   (7.6’).
    6. Frecvenţa de tăiere superioară (frecvenţa limită de sus) se determină cu circuitul din fig.7.2, cu   şi fără rezistenţă de sarcină din exterior. Frecvenţa limită de sus se deduce din relaţia :   (7.7) unde   este valoarea tensiunii de ieşire în bandă (la 1kHz), la aceeaşi amplitudine a semnalului de intrare.

DESFĂŞURAREA LUCRĂRII

1.Se identifică montajul din fig.7.4, în care se foloseşte un tranzistor de tipul BC 108 B.

Se alimentează montajul cu  =18 V (la borna 2 fată de masă şi se măsoară, cu un voltmetru de curent continuu, punctul static de funcţionare. Întrucât se obţin  = 2 mA şi  = 5 V pentru verificarea rezultatelor experimentale, se vor lua parametrii h din catalog,  adică  = 4.5 kW,  = 330,  = 2.8 , = 30 ms.
2. Se realizează, pe rând, cele patru scheme de amplificatoare elementare, EM, BM, CM, şi SD, folosind, în mod convenabil, condensatoarele  ,   şi  . Se vor măsura amplificarea de tensiune, amplificarea de curent şi impedanţa de intrare cu schema din fig.7.2, iar impedanţa de ieşire cu schema din fig.7.3. Rezultatele se vor trece în tabelul 7.2, în care sunt precizate şi nivelele de tensiune ce se aplică la intrarea fiecărui amplificator. În acelaşi tabel, se vor trece şi rezultatele măsurării frecvenţei limită de sus cu schema din fig.7.3.. Frecventa limită de sus se va măsura folosind etalonarea în dB a milivolmetrului de curent alternativ utilizat în lucrare .
3. Se calculează  ,   şi   pentru valorile rezistenţei de sarcină specificate în tabelul 7.2 precum şi   impedanţa de ieşie, pentru  =1 kW, cu relaţiile din tabelul 7.1; se calculează   şi   cu relaţiile (7.4) şi (7.4’), respectiv (7.6) şi (7.6’) şi se completează tabelul 7.2.
    4. Referatul va conţine:
- schemele de măsurare şi relaţiile de calcul pentru amplificările de tensiune şi de curent şi pentru impedantele de intrare şi de ieşire;
- schema de măsurare a frecventei limită de sus;
- tabelul 7.2 cu rezultatele măsurătorilor;
- valorile calculate pentru  ,   , ,  ,  şi   cu relaţiile din tabelul 7.1 şi cu celellate relaţii de calcul date;
- comentarea eficienţei formulelor aproximative pentru amplificările de tensiune şi de curent şi pentru impedanţa de intrare.

_______________________________________
Reparatii tv !
tel.0729346286
pus acum 16 ani
   
paun_nl
Administrator

Din: alexandria
Inregistrat: acum 16 ani
Postari: 2718
MONTAJE CU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ

    1. Scopul lucrării constă în studierea eficacităţii unor metode de mărire a impedanţei de intrare a unui circuit realizat cu tranzistoare bipolare.
    2. Posibilitatea de mărire a impedanţei de intrare rezultă din analiza relaţiei cu ajutorul căreia se calculează impedanţa de intrare în montajul colector la masă (care are cea mai mare impedanţă de intrare dintre conexiunile fundamentale).
    Pentru repetorul pe emitor, reprezentat sub forma unei scheme electrice în fig.9.1 (montajul  ), impedanţa de intrare va fi   (9.1) unde:
-    reprezintă contribuţia divizorului de polarizare (mărirea rezistenţelor  ,   sau   provoacă instabilitate termică a montajului); în multe scheme simple, rezistenţa   este înlocuită cu un scurtcircuit, iar în altele rezistenţa   nu se mai foloseşte, polarizarea tranzistorului realizându-se printr-o rezistenţă cuplată direct la sursa de alimentare.
-  ,  ,   şi   sunt parametrii circuitului echivalent al tranzistorului, folosit la frecvenţe medii; în relaţiile următoare se vor folosi aproximaţiile   şi  .

-   este rezistenţa din emitorul tranzistorului, a cărei valoare nu poate fi mărită, deoarece căderea de tensiune continuă la bornele ei e limitată de bateria de alimentare.
    Pentru mărirea impedanţei de intrare, se folosesc diferite metode ca: mărirea lui   prin micşorarea curentului de colector al tranzistorului, bootstraparea pentru reducerea efectului de şuntare provocat de divizorul de polarizare în curent continuu şi de rezistenţa  , utilizarea sarcinilor dinamice pentru rezistenţa   (sursă de curent sau repetor pe emitor), utilizarea tranzistoarelor compuse (Darlington, super-D).
    3. În montajul   din fig.9.2 se foloseşte tehnica bootstrapării pentru micşorarea efectului de şuntare al divizorului de polarizare cu ajutorul capacităţii  . Considerând că tranzistorul   împreună cu rezistenţa   poate fi înlocuit, în schema echivalentă pentru semnale variabile, cu un tranzistor echivalent cu parametrii   (9.2) şi   (9.3) se obţine   (9.4). Dacă sunt îndeplinite condiţiile   şi   (9.5) se obţine expresia aproximativă a impedanţei de intrare   (9.6).
    În continuare, în celelalte montaje,  , se va folosi aceeaşi tehnică pentru reducerea efectului divizorului de polarizare.
4. În montajul   din fig.9.3 se foloseşte un tranzistor compus Darlington. Din punct de vedere dinamic, montajul Darlington poate fi înlocuit cu un tranzistor echivalent cu parametrii daţi de relaţiile aproximative   (9.7) şi   (9.8).

    Impedanţa de intrare va fi    (9.9)
    5. Tranzistoarele   şi   din fig.9.3 lucrează la curenţi mult diferiţi (curentul de emitor al tranzistorului   este curent de bază pentru tranzistorul  ) şi, pentru înlăturarea acestui dezavantaj, se introduce o rezistenţă suplimentară în emitorul tranzistorului  , ca în montajul   din fig.9.4.
    Impedanţa de intrare a schemei va fi   (9.10) unde  .
    Se constată că rezistenţa  , prin care circulă curent continuu pentru tranzistorul  , micşorează impedanţa de intrare în comparaţie cu valoarea obţinută cu montajul  .
    6. Dezavantajul montajului precedent este înlăturat prin bootstraparea rezistenţei  : se împarte rezistenţa   în două şi punctul de mijloc va fi cuplat (prin capacitate) la ieşire, ca în montajul   din fig.  9.5. Din pinct de vedere dinamic, tranzistorul   împreună cu rezistenţa  , pot fi înlocuiţi cu un tranzistor echivalent,   şi care, împreună cu tranzistorul  , formează un tranzistor compus Darlington, cu colectorul la masă. Rezultă   (9.11) cu   şi  .
    Cu acest montaj se pot obţine impedanţe de intrare de până la 10 MW, la limita impusă de  .
    7. Mărirea impedanţei de intrare se obţine şi prin înlocuirea rezistenţei   din fig.  9.1 cu un tranzistor în montaj bază la masă, aşa cum se vede în fig.  9.6, pentru montajul  . Impedanţa de intrare va fi   (9.12).

    Pentru   se foloseşte expresia aproximativă   (9.13).
    8. Montajele  ,   şi   folosesc tehnica bootstrapării pentru reducerea efectului de şuntare al lui  ; de asemenea, este modificat circuitul de polarizare (se simplifică, utilizând acelaşi circuit pentru bootstrapare.

    Montajul   din fig.  9.7, foloseşte tranzistoarele   şi   conectate în cascadă în curent continuu, cu rezistenţa de fixare a curentului prin tranzistorul  , bootstrapată ca în fig.9.5. Montajele  , din fig.  9.8, cu tranzistoarele de acelaşi tip şi  , din fig.9.9, cu tranzistoare complementare, folosesc tranzistoare polarizate în curent continuu în serie,avantajul asigurării aceluiaşi curent de colector al tranzistoarelor. Din punct de vedere dinamic, cele trei montaje se pot reduce la schema de principiu a unui repetor pe emitor constatând că tranzistoarele   şi  , împreună cu rezistenţele aferente, pot fi echivalate cu un tranzistor compus super-D ce funcţionează în conexiune colector la masă. Cu aceste montaje se pot obţine impedanţe de intrare de ordinul zecilor de MW.

    9. Măsurarea impedanţelor de intrare se face cu ajutorul schemei de măsură din fig.9.10. Impedanţa de intrare se calculează cu relaţia   (9.13).
    Valorile mari ale impedanţelor de intrare realizate de montajele testate fac dificilă măsurarea tensiunii  , având în vedere valoarea limitată a rezistenţei de intrare a milivoltmetrului de curent alternativ (analogic sau numeric) utilizat, în mod obişnuit, pentru astfel de măsurători. Dezavantajul este înlăturat prin măsurarea tensiunii   de la ieşirile montajelor, toate acestea funcţionând ca repetoare de tensiune (  real). Deci, pentru calculul impedanţelor de intrare se va folosi relaţia   (9.14).
    10. Montaje cu impedanţe de intrare mari se pot obţine şi prin utilizarea tranzistoarelor cu efect de câmp sau a amplificatoarelor operaţionale, studiate în alte lucrări.

DESFĂŞURAREA LUCRĂRII


    1. Se identifică montajul din fig.9.11 pe care pot fi realizate montajele  . Rezistenţa   montată în serie cu baza are rol antioscilant.
    Se realizează pe rând cele 6 montaje, se alimentează cu  = 18 V şi se măsoară punctele statice de funcţionare. Se determină parametrii de regim dinamic   şi  , ştiind că  , iar  =200. Se vor lua, pentru montajele   şi  ,  , pentru montajul  .  , pentru montajul  ,   şi  , iar pentru montajul  ,  ; în toate cazurile se va lua  =3.6 kW.
    Se măsoară impedanţele de intrare pentru cele 6 montaje cu scheme de măsură din fig.  9.10. Se va aplica la borna 3 semnal sinusoidal de fracvenţă   şi valoare eficace  = 1000 mV. Se măsoară tensiunile   şi   şi se calculează impedanţa de intrare cu relaţia (9.14).
    2. Se identifică montajul pe care sunt realizate ultimele 3 montaje,  ,   şi  . Se alimentează cu  = 18 V şi se măsoară punctele statice de funcţionare. Se măsoară impedanţele de intrare în aceleaşi condiţii ca la punctul precedent.
    3. Referatul va conţine: schemele celor 9 montaje, cu rezultatele măsurătorilor pentru punctele statice de funcţionare şi cu valorile calculate ale parametrilor dinamici, cu rezultatele măsurătorilor pentru   şi  , cu valorile determinate pentru impedanţele de intrare precum şi cu valorile teoretice ale impedanţelor de intrare ale montajelor   calculate cu relaţiile  . Se vor lua  = 10 MW şi  = 50 kW.

_______________________________________
Reparatii tv !
tel.0729346286
pus acum 16 ani
   
Pagini: 1  

Mergi la